结型晶体管诞生时间是？我国集成电路产业诞生于何时？

结型晶体管诞生时间是?

1950年：结型晶体管诞生;　1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺;　1951年：场效应晶体管发明;　1956年：C S Fuller发明了扩散工艺;　1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史;　1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺;　1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管;　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺;　1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍;　1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列(50门);　1967年：应用材料公司(Applied Materials)成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司;　1971年：Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM)，标志着大规模集成电路出现;

我国集成电路产业诞生于何时?

我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：　1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产 品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件;　1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化;　1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。